薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410841792.5
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/77
申请日期：
2014-12-30
申请人：
京东方科技集团股份有限公司

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著录项信息

专利名称	薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法
申请号	CN201410841792.5	申请日期	2014-12-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-25	公开/公告号	CN104465405A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;7查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司
发明人	左岳平;李良坚
代理机构	北京中博世达专利商标代理有限公司	代理人	申健

摘要

本发明实施例公开了一种薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法，涉及显示技术领域，能够减少薄膜晶体管的漏电流。该薄膜晶体管的制作方法包括：在衬底基板上形成有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极，层间绝缘层和栅极绝缘层上设置有对应于源极和漏极的过孔；有源层包括与源极连接的源极欧姆接触区、与漏极连接的漏极欧姆接触区、位于栅极下方的用于作为沟道的沟道区以及位于漏极欧姆接触区与沟道区之间的轻掺杂区，或者，有源层包括与源极连接的源极欧姆接触区、与漏极连接的漏极欧姆接触区、位于栅极下方的用于作为沟道的沟道区以及位于漏极欧姆接触区与沟道区之间和源极欧姆接触区与沟道区之间的两个轻掺杂区。

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