一种在B位进行高熵化设计的高介电常数陶瓷及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211187371.6
IPC分类号：C04B35/48;C04B35/493;C04B35/622;C04B35/64
申请日期：
2022-09-28
申请人：
昆明理工大学

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专利名称	一种在B位进行高熵化设计的高介电常数陶瓷及其制备方法
申请号	CN202211187371.6	申请日期	2022-09-28
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-12-02	公开/公告号	CN115417670A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/48 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/01 以氧化物为基料的〔6〕 C04B35/48 以氧化锆或氧化铪或锆酸盐或铪酸盐为基料的〔6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;4;8;;;C;0;4;B;3;5;/;4;9;3;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4查看分类表>
申请人	昆明理工大学	申请人地址	云南省昆明市五华区学府路253号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昆明理工大学	当前权利人	昆明理工大学
发明人	孟彬;张涵
代理机构	昆明隆合知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	龙燕

摘要

本发明公开了一种在B位进行高熵化设计的高介电常数陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷材料技术领域。本发明所述高熵陶瓷材料的化学式为Pb(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3，制备过程为按照设计的化学计量比分别称量PbO、TiO2、ZrO2、SnO2、HfO2，之后进行湿法球磨、干燥、研磨、煅烧，对所得煅烧粉末进行二次球磨、干燥、研磨、压制成型，最后在空气中1200~1300℃温度下烧结得到致密的Pb(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3高熵陶瓷。Pb(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3高熵陶瓷在1kHz频率测试下，在270℃左右的温度下介电常数高达18500；Pb(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3高熵陶瓷有望成为高介电常数的陶瓷电容器材料。

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