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一种棒状硼化锆-片状碳化硅单晶复合粉体及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810403249.5
  • IPC分类号:C04B35/626;C04B35/58;C04B35/565;C01B32/97;C01B35/04
  • 申请日期:
    2018-04-28
  • 申请人:
    武汉科技大学
著录项信息
专利名称一种棒状硼化锆-片状碳化硅单晶复合粉体及其制备方法
申请号CN201810403249.5申请日期2018-04-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-09-28公开/公告号CN108585889A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/626IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;6;2;6;;;C;0;4;B;3;5;/;5;8;;;C;0;4;B;3;5;/;5;6;5;;;C;0;1;B;3;2;/;9;7;;;C;0;1;B;3;5;/;0;4查看分类表>
申请人武汉科技大学申请人地址
湖北省武汉市青山区和平大道947号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉科技大学当前权利人武汉科技大学
发明人刘江昊;曾渊;梁峰;张海军;林良旭;张少伟
代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人张火春
摘要
本发明公开了一种棒状硼化锆‑片状碳化硅单晶复合粉体及其制备方法。其技术方案是:将10~28wt%的二氧化锆、8~17wt%的硅源、4~14wt%的碳化硼、7~16wt%的碳源和35~62wt%的熔盐混合,得混合料。将装有混合料的坩埚置入匣钵内,用绿碳化硅粉体填充坩埚与匣钵间的空隙,置于微波炉中,抽真空至50~150Pa;通入流动的氩气,以10~100℃/min的速率升温至1000~1200℃,保温0~30min,自然冷却。然后于水浴条件下搅拌,抽滤,清洗,干燥,得到棒状硼化锆‑片状碳化硅单晶复合粉体。本发明具有成本低、工艺简单、能耗低、效率高和环境友好的的优点,所制制品不仅纯度高、比表面积大、结晶度高,且具有发育完整的各向异性结构和材料增韧潜力。

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