一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管

发明专利有效专利

申请号：
CN201811432411.2
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
申请日期：
2018-11-28
申请人：
TCL集团股份有限公司

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专利名称	一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管
申请号	CN201811432411.2	申请日期	2018-11-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-05	公开/公告号	CN111244294A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;4;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	TCL集团股份有限公司	申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TCL科技集团股份有限公司	当前权利人	TCL科技集团股份有限公司
发明人	程陆玲;杨一行
代理机构	深圳市君胜知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王永文;刘文求

摘要

本发明公开一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管，其中，纳米金属氧化物的制备方法包括步骤：提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；将所述复合材料加入到纳米金属氧化物生长反应体系中混合，得到所述纳米金属氧化物。本发明能够实现将金属离子均一地掺杂到纳米金属氧化物中，制得缺陷较少、质量较佳的纳米金属氧化物，将所述纳米金属氧化物作为量子点发光二极管的电子传输层材料，可以调节量子点发光二极管的电子迁移率，从而使其电子空穴注入速率达到平衡，进而提高其发光效率。

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