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发光或者受光用半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN00812460.4
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2000-10-20
  • 申请人:
    中田仗祐
著录项信息
专利名称发光或者受光用半导体器件及其制造方法
申请号CN00812460.4申请日期2000-10-20
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2002-10-09公开/公告号CN1373907
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人中田仗祐申请人地址
日本*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人思飞乐电力株式会社当前权利人思飞乐电力株式会社
发明人中田仗祐
代理机构上海专利商标事务所代理人臧霁晨
摘要
具有受光功能的半导体器件(10)例如具备由p型的硅单结晶形成的半导体元件(1)、第1,第2平坦面(2,7)、n型扩散层(3)及其pn结(4)、再结晶层(8)、防反射膜(6a)、负电极(9a)以及正电极(9b)等。替代该半导体元件(1)也能够采用圆柱状的半导体元件。

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