高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路

发明专利有效专利

申请号：
CN202010176828.8
IPC分类号：H03K17/0812;H03K17/687
申请日期：
2020-03-13
申请人：
无锡硅动力微电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路
申请号	CN202010176828.8	申请日期	2020-03-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-02	公开/公告号	CN111224647A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K17/0812 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K17/00 电子开关或选通，即不通过通断接触的（选通放大器入H03F 3/72；使用静态器件的交换系统的开关装置入H04Q 3/52） H03K17/08 开关电路过流或过压保护的改进〔3〕 H03K17/081 没有从输出电路到控制电路的反馈〔6〕 H03K17/0812 通过对控制电路的测量〔6〕	IPC分类号	H;0;3;K;1;7;/;0;8;1;2;;;H;0;3;K;1;7;/;6;8;7查看分类表>
申请人	无锡硅动力微电子股份有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区珠江路51号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡硅动力微电子股份有限公司	当前权利人	无锡硅动力微电子股份有限公司
发明人	励晔;黄飞明;赵文遐;贺洁;朱勤为
代理机构	无锡市大为专利商标事务所（普通合伙）	代理人	曹祖良;屠志力

摘要

本发明提供一种高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路，包括：驱动电流调节电路的控制端与反相器INV115的输入端接门极驱动电路的输入端；门极驱动电路的输入端用于输入控制信号On；反相器INV115的输出端接第一MOS开关Q111的控制端以及关断延时电路的输入端；关断延时电路的输出端接第二MOS开关Q113的控制端；驱动电流调节电路输出两路电流源iCp、iDrv，分别接到电荷泵电容C120两端的节点a和节点b；第一MOS开关Q111的一个开关端接节点a，另一个开关端接参考地；第二MOS开关Q113的一个开关端接节点b，另一个开关端接参考地；节点b作为门极驱动电路的输出端；本发明能够提升GaN功率管工作可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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