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氧化硅的选择性沉积

发明专利有效专利

申请号：
CN201810151668.4
IPC分类号：C23C16/04;C23C16/40;C23C16/455;H01L21/02;H01L21/67
申请日期：
2018-02-14
申请人：
朗姆研究公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	氧化硅的选择性沉积
申请号	CN201810151668.4	申请日期	2018-02-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-21	公开/公告号	CN108425100A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/04 局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;0;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	朗姆研究公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	朗姆研究公司	当前权利人	朗姆研究公司
发明人	大卫·查尔斯·史密斯;丹尼斯·M·豪斯曼
代理机构	上海胜康律师事务所	代理人	樊英如;张静

摘要

本发明涉及氧化硅的选择性沉积。本发明描述了用于相对于氮化硅表面选择性地在氧化硅表面上沉积氧化硅的方法和设备。方法涉及使用氨和/或氮等离子体预处理衬底表面，并且在热原子层沉积反应中使用氨基硅烷硅前体和氧化剂的交替脉冲选择性地在氧化硅表面上沉积氧化硅，而不在暴露的氮化硅表面上沉积氧化硅。

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