内存模块组件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510070714.0
IPC分类号：H01L25/00;H01L23/34;H01L23/367;G11C5/00
申请日期：
2005-05-17
申请人：
大智电子科技公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	内存模块组件及其制造方法
申请号	CN200510070714.0	申请日期	2005-05-17
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-11-22	公开/公告号	CN1866512
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;4;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;G;1;1;C;5;/;0;0查看分类表>
申请人	大智电子科技公司	申请人地址	美国加州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大智电子科技公司	当前权利人	大智电子科技公司
发明人	王光宇;倪金南;邱人康;李威若;朱子益
代理机构	北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司	代理人	孙皓晨

摘要

一种包括一或两个散热片并且使用接合剂直接附加在内存模块的一或多个集成电路(IC)(例如内存IC)上的内存模块组件。接合剂是以热活化或热硬化来起作用的。接合剂可以用在内存IC上或散热片上，然后使用固定治具在散热片和内存模块之间以夹钳方式施加挤压，并且将固定治具和内存模块组件一起送入烤箱，以活化或硬化接合剂。冷却之后可以拆卸固定治具，留下散热片与内存模块固定在一起的内存模块组件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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