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用于改善平衡-不平衡变换器负载质量因数的技术

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200980131136.3
  • IPC分类号:H03F1/56H03F3/195H03F3/72H03F1/42H03H7/42H03H11/32H03F3/24
  • 申请日期:
    2009-08-11
  • 申请人:
    高通股份有限公司
著录项信息
专利名称用于改善平衡-不平衡变换器负载质量因数的技术
申请号CN200980131136.3申请日期2009-08-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-07-06公开/公告号CN102119483A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03F1/56IPC分类号H03F1/56;H03F3/195;H03F3/72;H03F1/42;H03H7/42;H03H11/32;H03F3/24查看分类表>
申请人高通股份有限公司申请人地址
美国加利福*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人高通股份有限公司当前权利人高通股份有限公司
发明人秋参·纳拉通;桑卡兰·阿尼鲁丹
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人宋献涛
摘要
本发明揭示用于在存在负载级的情况下改善平衡-不平衡变换器的质量因数(“Q”)的技术。在一示范性实施例中,平衡-不平衡变换器次级(单端型)元件(101)的接地节点(101.2b)经由共用接地节点(300a)而连接到放大器级(200)的源极节点(200b)。可使所述连接在物理上为短的,以使任何寄生元件最小化。在另一示范性实施例中,所述共用接地节点(300a)可经由峰化电感器(300)而耦合到芯片外接地电压。所述峰化电感器(300)可(例如)作为螺旋电感器实施于芯片上,或(例如)使用接合线实施于芯片外。

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