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一种基于ZrO<sub>2</sub>反铁电性的多比特存储场效应晶体管制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202211112651.0
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/51;H01L29/78;H01L27/11585
  • 申请日期:
    2022-09-14
  • 申请人:
    复旦大学
著录项信息
专利名称一种基于ZrO<sub>2</sub>反铁电性的多比特存储场效应晶体管制备方法
申请号CN202211112651.0申请日期2022-09-14
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2022-12-06公开/公告号CN115440595A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;5;1;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;8;5查看分类表>
申请人复旦大学申请人地址
上海市杨浦区邯郸路220号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人复旦大学当前权利人复旦大学
发明人陈琳;李振海;孟佳琳;王天宇;孙清清;张卫
代理机构北京得信知识产权代理有限公司代理人孟海娟
摘要
本发明公开一种基于ZrO2反铁电性的多比特存储场效应晶体管制备方法。包括以下步骤在Si衬底上沉积SiO2层,并对SiO2层进行光刻、刻蚀露出衬底形成栅极窗口;利用氮等离子体对Si衬底做钝化处理形成Si3N4薄层;形成HZO/ZrO2/HZO叠层结构,通过调控ZrO2的厚度,使ZrO2具有适当的反铁电特性,并通过调节ZrO2两侧HZO的厚度来调控ZrO2反转电流的大小,从而调节ZrO2层反铁电电流特征峰的移动,使器件拥有非易失性多态存储的同时扩大存储窗口;形成TiN层作为栅极,并在N2氛围中退火;刻蚀去除两侧的SiO2层,光刻出源极和漏极的位置并进行离子注入掺杂;形成SiO2边墙,再次进行离子注入,高温快速退火,激活掺杂离子;在源极、漏极和栅极表面形成接触电极。

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