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一种氧化钒薄膜的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910780294.7
  • IPC分类号:C23C14/08;C23C14/35;C23C16/40
  • 申请日期:
    2019-08-22
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称一种氧化钒薄膜的制备方法
申请号CN201910780294.7申请日期2019-08-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-11-15公开/公告号CN110453175A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/08IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人高建峰;李俊峰;刘卫兵;赵超;王文武
代理机构北京知迪知识产权代理有限公司代理人王胜利
摘要
本发明提出了一种氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上方沉积介质层;对所述衬底进行预热;采用磁控溅射法,在所述介质层上形成氧化钒薄膜种子层,形成所述氧化钒薄膜种子层的工艺条件如下:射频溅射功率为500~1000W,氧气流量为6‑10sccm,氩气流量为50sccm,工作压力为0.1~3Pa,基片温度为150~250℃;保持磁控溅射其它工艺条件不变,逐步连续微调氧气流量到预定值,在所述氧化钒薄膜种子层上沉积氧化钒薄膜到规定的厚度,其中连续微调氧气流量步进为0.1‑1sccm,每步持续时间为1‑30秒,微调氧气到预定值后,保持一定时间,沉积氧化钒薄膜到规定的厚度。采用本发明方法,沉积得到的氧化钒薄膜具有单一均匀薄膜组织结构等优点,且制备方法简单易操作,适宜大规模生产,具有较高的实用价值。

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