多晶硅薄膜的制备方法及系统

发明专利无效专利

申请号：
CN202010096859.2
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/67
申请日期：
2020-02-17
申请人：
中芯集成电路制造（绍兴）有限公司

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著录项信息

专利名称	多晶硅薄膜的制备方法及系统
申请号	CN202010096859.2	申请日期	2020-02-17
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-12	公开/公告号	CN111276390A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	中芯集成电路制造（绍兴）有限公司	申请人地址	浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯集成电路制造（绍兴）有限公司	当前权利人	中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
发明人	刘鹏;蔡丹华;李勇
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	曹廷廷

摘要

本发明提供了一种多晶硅薄膜的制备方法及系统，能在沉积多晶硅薄膜时，监控反应气体流量过冲值和/或反应气体流量爬升速度(即反应气体的流量从0升到目标流量所需的时间)，且在发现监控到的反应气体流量过冲值和/或反应气体流量爬升速度不符合要求(即出现异常)时，能及时停止多晶硅薄膜的沉积工艺。因此，本发明的技术方案能够更早地发现有问题的晶圆，进而直接停止多晶硅薄膜的沉积，并将有问题的晶圆报废，由此省去后续的工艺和测试步骤，提高效率，并降低成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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