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一种表面富碳结构的连续SiC纤维的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310085507.7
  • IPC分类号:D01F9/10
  • 申请日期:
    2013-03-18
  • 申请人:
    中国人民解放军国防科学技术大学
著录项信息
专利名称一种表面富碳结构的连续SiC纤维的制备方法
申请号CN201310085507.7申请日期2013-03-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-06-19公开/公告号CN103160955A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号D01F9/10IPC分类号D;0;1;F;9;/;1;0查看分类表>
申请人中国人民解放军国防科学技术大学申请人地址
湖南省长沙市砚瓦池正街137号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国人民解放军国防科学技术大学当前权利人中国人民解放军国防科学技术大学
发明人简科;王军;王浩;宋永才;王应德;谢征芳;邵长伟
代理机构长沙星耀专利事务所代理人宁星耀;许伯严
摘要
一种表面富碳结构的连续SiC纤维的制备方法,包括以下步骤:将聚碳硅烷不熔化纤维以0.5-3m/min的走丝速度连续加张通过1300-1400℃的高温管式炉烧成处理,在高温管式炉两端采用惰性气氛进行气封,在入口端气封内侧通入烷烃和惰性气氛的混合气体,PCS不熔化纤维经过高温热解转化制备得到连续SiC纤维。采用本发明,工艺简单,操作方便,制造成本低,制备的SiC纤维表面碳层结构稳定,电阻率低且可调控,耐高温,力学性能好,适合于吸波/承载一体化功能要求的高性能吸波结构复合材料,尤其适合于高性能武器装备、航空、航天、核工业等领域。

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