坩埚的温度分布计算方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201080010318.8
IPC分类号：C03B20/00C30B15/10C30B29/06G06F17/50
申请日期：
2010-12-14
申请人：
日本超精石英株式会社;学校法人芝浦工业大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	坩埚的温度分布计算方法
申请号	CN201080010318.8	申请日期	2010-12-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-02-01	公开/公告号	CN102341355A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C03B20/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C03 玻璃；矿棉或渣棉 C03B 玻璃、矿物或渣棉的制造、成型；玻璃、矿物或渣棉的制造或成型的辅助工艺（表面处理入C03C） C03B20/00 生产石英或熔凝硅石制品的专用方法〔3〕	IPC分类号	C03B20/00;C30B15/10;C30B29/06;G06F17/50查看分类表>
申请人	日本超精石英株式会社;学校法人芝浦工业大学	申请人地址	日本秋田县秋田市茨島5-1*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日本超精石英株式会社,学校法人芝浦工业大学	当前权利人	日本超精石英株式会社,学校法人芝浦工业大学
发明人	须藤俊明;铃木江梨子;小野直树
代理机构	上海翼胜专利商标事务所（普通合伙）	代理人	翟羽

摘要

本发明提供一种相较于现有技术精度更高的温度分布计算方法，该温度分布计算方法利用边界条件来计算制造时的氧化硅粉末成形体内面的温度分布，该边界条件是将根据电弧放电的等离子辐射和电弧放电自身的热辐射考虑在内，并以实测温度进行补偿的边界条件。本发明的制造时的坩埚温度分布计算方法，该方法具有一温度计算过程，在该温度计算过程中，温度计算部计算出热流束，并利用数值计算方法求出温度分布，在此，该热流束是从热等离子向氧化硅粉末成形体内面的热流束，该热等离子将从电弧电极放射的热等离子用以气流及辐射进行模型化，该氧化硅粉末成形体内面嵌合在作为坩埚模型的模具内面，该温度分布是氧化硅粉末成形体内面的温度分布，该数值计算方法是以网格划分被计算对象的数值计算方法；并且，预先调整气流及辐射条件，从对应表格读入该气流及辐射条件，并计算温度分布，在此，所述调整是使得计算结果的温度分布和、实测的氧化硅粉末成形体内面的温度分布保持相同的调整，所述气流及辐射条件对应于生成坩埚时的控制序列的各步骤。

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