一种基于喷墨打印的薄膜热电偶制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110467395.6
IPC分类号：H01L35/34;B41M5/00;B82Y15/00;B82Y40/00
申请日期：
2021-04-28
申请人：
北京航空航天大学

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著录项信息

专利名称	一种基于喷墨打印的薄膜热电偶制备方法
申请号	CN202110467395.6	申请日期	2021-04-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-17	公开/公告号	CN113270537A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L35/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L35/00 包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件（由一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L35/34 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;5;/;3;4;;;B;4;1;M;5;/;0;0;;;B;8;2;Y;1;5;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	北京航空航天大学	申请人地址	北京市海淀区学院路37号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京航空航天大学	当前权利人	北京航空航天大学
发明人	邱璐;张梦森;陶智;王毅;张盛丰
代理机构	北京挺立专利事务所（普通合伙）	代理人	彭豆

摘要

本发明提供一种基于喷墨打印的薄膜热电偶制备方法，属于薄膜热电偶制备方法技术领域。该方法包括：通过喷墨打印方法，将绝缘层纳米微粒墨水沉积在基板表面，烧结得到绝缘层；将粘接层纳米微粒墨水沉积在绝缘层表面，烧结得到粘接层；将热电偶正极材料纳米微粒功能墨水和热电偶负极材料纳米微粒功能墨水沉积在粘接层表面，形成导电的热电偶线路；将保护层纳米微粒墨水沉积在热电偶表面，烧结得到保护层。该方法通过喷墨打印的方式，延长了热电偶的使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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