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一种晶体硅太阳能电池及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310441276.9
  • IPC分类号:H01L31/0216H01L31/068
  • 申请日期:
    2013-09-25
  • 申请人:
    比亚迪股份有限公司
著录项信息
专利名称一种晶体硅太阳能电池及其制备方法
申请号CN201310441276.9申请日期2013-09-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-03-25公开/公告号CN104465799A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0216IPC分类号H01L31/0216;H01L31/068查看分类表>
申请人比亚迪股份有限公司申请人地址
广东省深圳市坪山新区比亚迪路30*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人比亚迪股份有限公司当前权利人比亚迪股份有限公司
发明人邓瑞;关敬波
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明提供了一种晶体硅太阳能电池及其制备方法,所述晶体硅太阳能电池包括依次层叠的正面电极、减反射膜、硅基底、钝化层和背面电极;所述钝化层通过真空镀膜形成,所述真空镀膜的靶材为金属掺杂氧化硅靶,掺杂金属为铝和/或锡,真空镀膜的气氛中含有氢气或氨气。本发明提供的晶体硅太阳能电池,其少子寿命大大延长,电池的短路电流和开路电压得到有效提高,从而使得晶体硅太阳能电池的光电转换效率得到大幅度提高。

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