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一种具有自修复性质的硅基负极及其制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010839274.5
  • IPC分类号:H01M4/137;H01M4/60;H01M10/0525
  • 申请日期:
    2020-08-19
  • 申请人:
    珠海冠宇电池股份有限公司
著录项信息
专利名称一种具有自修复性质的硅基负极及其制备方法和应用
申请号CN202010839274.5申请日期2020-08-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-11-06公开/公告号CN111900335A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/137IPC分类号H;0;1;M;4;/;1;3;7;;;H;0;1;M;4;/;6;0;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5查看分类表>
申请人珠海冠宇电池股份有限公司申请人地址
广东省珠海市斗门区井岸镇珠峰大道209号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人珠海冠宇电池股份有限公司当前权利人珠海冠宇电池股份有限公司
发明人郭盼龙;李素丽;陈伟平;李俊义;徐延铭
代理机构北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘元霞;谢怡婷
摘要
本发明的目的是提供一种具有自修复性质的硅基负极及其制备方法和应用,所述自修复弹性体材料包括聚环氧丙烷(PPG)链段、聚乙二醇(PEG)链段、聚四亚甲基醚二醇(PTMG)链段或聚丁二烯(PB)链段;本发明可以解决因硅基负极体积膨胀引发SEI膜破损并影响电池性能问题,本发明是通过构建高韧性、高强度的自修复SEI膜,提高SEI膜的韧性并赋予SEI膜修复破损能力,实现适应和抑制硅基负极体积膨胀,并及时修复SEI膜的损伤,解决因硅基负极体积变化而造成SEI膜的不断破损和持续形成问题。

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