混合平面和FinFET CMOS器件

发明专利有效专利

申请号：
CN200410060055.8
IPC分类号：--
申请日期：
2004-06-25
申请人：
国际商业机器公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	混合平面和FinFET CMOS器件
申请号	CN200410060055.8	申请日期	2004-06-25
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2005-03-09	公开/公告号	CN1591838
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	国际商业机器公司	申请人地址	加拿大安大略省变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	奥瑞加创新股份有限公司	当前权利人	奥瑞加创新股份有限公司
发明人	布鲁斯·B·多丽丝;黛安·C·博伊德;杨美基;托马斯·S·卡纳斯基;加库博·T·克泽尔斯基;杨敏
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

本发明提供一种含有位于同一个SOI衬底上的平面单栅极FET和FinFET的集成半导体电路。具体地，该集成半导体电路包括位于绝缘体上硅衬底的埋置绝缘层顶上的FinFET和平面单栅极FET，平面单栅极FET位于绝缘体上硅衬底的构图的顶部半导体层的表面上，并且，FinFET具有垂直于该平面单栅极FET的垂直沟道。还提供形成这种集成电路的方法。在该方法中，在修整FinFET有源器件区的宽度中使用抗蚀剂成象和构图的硬掩模，并且随后在使FET器件区的厚度减薄中使用抗蚀剂成象和蚀刻。形成修整的有源FinFET器件区使其垂直于减薄的平面单栅极FET器件区。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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