拉晶方法和拉晶装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202011611880.8
IPC分类号：C30B29/06;C30B30/04;C30B15/22
申请日期：
2020-12-30
申请人：
上海新昇半导体科技有限公司

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专利名称	拉晶方法和拉晶装置
申请号	CN202011611880.8	申请日期	2020-12-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-25	公开/公告号	CN112831836A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;3;0;/;0;4;;;C;3;0;B;1;5;/;2;2查看分类表>
申请人	上海新昇半导体科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区临港新城云水路1000号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海新昇半导体科技有限公司	当前权利人	上海新昇半导体科技有限公司
发明人	沈伟民;雷友述
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	胡竞之

摘要

本发明公开了一种拉晶方法和拉晶装置。所述方法包括：在拉晶过程中，保持用以容纳硅熔体的坩埚旋转的同时对坩埚内的硅熔体施加水平方向的磁场，其中，当改变所述磁场的磁场强度时和/或当改变所述磁场的磁场强度后，容易引起硅晶棒晶棒和熔体的固液界面温度的波动，通过改变坩埚的旋转速度，改变坩埚内硅熔体的强迫对流，从而快速降低由于磁场强度的改变导致的固液界面温度的波动，使拉晶过程得到的晶棒直径趋于稳定。

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