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一种近红外CdTe量子点的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410705662.9
  • IPC分类号:C09K11/88;C01B19/04
  • 申请日期:
    2014-11-28
  • 申请人:
    湖南科技大学
著录项信息
专利名称一种近红外CdTe量子点的制备方法
申请号CN201410705662.9申请日期2014-11-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-02-18公开/公告号CN104357059A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09K11/88IPC分类号C;0;9;K;1;1;/;8;8;;;C;0;1;B;1;9;/;0;4查看分类表>
申请人湖南科技大学申请人地址
湖南省湘潭市雨湖区石码头2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖南科技大学当前权利人湖南科技大学
发明人曾云龙;元晓云;王天伦;邓彤彤;曾竞兴;易守军;黄昊文;魏莉莎;唐春然
代理机构湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)代理人宋向红
摘要
本发明公开了一种近红外CdTe量子点的制备方法。该制备方法主要包括:先在低温下制备CdTe前驱体溶液,然后升温,使前驱体溶液孵化生长,在微型反应釜中一步法制备近红外量子点。具体是以碳酰肼为还原剂,二氧化碲为碲源,以巯基化合物为稳定剂,以镉盐为镉源,在碱性条件下,在微型反应釜中97℃微沸反应生成CdTe前驱体溶液。然后迅速升温180~220℃,在4MPa下孵化反应生成CdTe近红外荧光量子点。反应不同时间可以制备得到不同波长的近红外CdTe量子点。通过本发明的方法得到的量子点可以长时间储存,荧光强度不变。

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