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钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板及其制造方法、以及太阳能电池元件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201380038176.X
IPC分类号：H01L31/0216;H01L31/18
申请日期：
2013-07-19
申请人：
日立化成株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板及其制造方法、以及太阳能电池元件及其制造方法
申请号	CN201380038176.X	申请日期	2013-07-19
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-03-25	公开/公告号	CN104471719A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0216 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0216 涂层（H01L31/041优先）〔5，2014.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	日立化成株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日立化成株式会社	当前权利人	日立化成株式会社
发明人	足立修一郎;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;织田明博;早坂刚;服部孝司;松村三江子;渡边敬司;森下真年;滨村浩孝
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	葛凡

摘要

本发明的钝化层形成用组合物包含：至少一种通式(I)所示的烷醇盐；选白钛化合物、锆化合物及烷醇硅中的至少一种化合物；溶剂；和树脂。通式(I)中，M包含选白Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少一种金属元素。R1表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基。m表示1～5的整数。M(OR1)m (I)。

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