一种金属栅极的形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010612985.5
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/283;H01L21/3213
申请日期：
2010-12-29
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种金属栅极的形成方法
申请号	CN201010612985.5	申请日期	2010-12-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-11	公开/公告号	CN102569050A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;1;3查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	何其旸;张翼英
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

本发明提供了一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅，所述伪栅具有侧壁；在所述半导体衬底、伪栅及其侧壁表面形成阻挡层；在阻挡层表面覆盖形成牺牲介质层；刻蚀牺牲介质层以及位于伪栅顶部及其侧壁表面的阻挡层，暴露出所述伪栅，并使得所述牺牲介质层以及阻挡层的顶部低于伪栅顶部；去除所述牺牲介质层；在所述阻挡层以及伪栅的表面覆盖沉积层间介质层；研磨所述层间介质层直至露出伪栅顶部，所述层间介质层表面与伪栅顶部相平齐；去除所述伪栅，形成沟槽；在所述沟槽内形成金属栅极。本发明能够防止层间介质层表面凹陷的产生，进而解决形成金属栅极的过程中在层间介质层的表面残留金属的问题。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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