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一种CsPbBr<sub>3</sub>量子点-硅基复合结构太阳能电池

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201910207027.0
  • IPC分类号:H01L31/0216H01L31/055
  • 申请日期:
    2019-03-19
  • 申请人:
    扬州大学
著录项信息
专利名称一种CsPbBr<sub>3</sub>量子点-硅基复合结构太阳能电池
申请号CN201910207027.0申请日期2019-03-19
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2019-06-28公开/公告号CN109950330A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0216IPC分类号H01L31/0216;H01L31/055查看分类表>
申请人扬州大学申请人地址
江苏省扬州市开发区大学南路*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人扬州大学当前权利人扬州大学
发明人曹蕴清;吴冬;丁聪;张绍琦;曾祥华
代理机构南京苏科专利代理有限责任公司代理人董旭东;徐素柏
摘要
本发明涉及太阳能电池领域内一种CsPbBr3量子点‑硅基复合结构太阳能电池,包括硅基太阳能电池和涂覆于硅电池片表面的CsPbBr3量子点薄膜,所述CsPbBr3量子点薄膜的厚度为20~25nm。本发明的CsPbBr3量子点‑硅基复合结构太阳能电池,用旋涂方法在硅基太阳能电池表面制备CsPbBr3胶体量子点薄膜,形成CsPbBr3量子点‑硅基复合结构太阳能电池,使硅基太阳能电池表面形成荧光下转移层,相比传统的Ⅱ‑Ⅵ族化合物量子点下转移材料,CsPbBr3量子点具有吸收截面大、光吸收率高的优点,只需旋涂单层薄膜即可增强电池的短波响应以及光伏特性,避免了下转移层厚度过大导致串联电阻增大的不利影响,同时成膜参数可控,复合结构电池表面反射率降低,短波响应增强的同时长波响应也有增加,短路电流增大,电池的光电转换效率升高。

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