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半导体发光元件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810211886.9
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2008-09-18
  • 申请人:
    广镓光电股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体发光元件
申请号CN200810211886.9申请日期2008-09-18
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2010-03-24公开/公告号CN101677118
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人广镓光电股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人晶元光电股份有限公司当前权利人晶元光电股份有限公司
发明人程志青;蔡宗良;林素慧
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人林建成
摘要
本发明的半导体发光元件包含衬底、设置在所述衬底上方的第一导电型半导体层、设置在所述第一导电型半导体层上方的发光结构、以及设置在所述发光结构上方的第二导电型半导体层。所述衬底包含上表面以及多个设置在所述上表面上的凸部,所述凸部包含一顶面、多个壁面以及多个斜面,其中所述斜面夹置在所述顶面与所述壁面之间。

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