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电容器的制备方法及电容器

发明专利有效专利

申请号：
CN201910980364.3
IPC分类号：H01L49/02
申请日期：
2019-10-15
申请人：
夏泰鑫半导体（青岛）有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	电容器的制备方法及电容器
申请号	CN201910980364.3	申请日期	2019-10-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-16	公开/公告号	CN112670408A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L49/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L49/00 不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L49/02 薄膜或厚膜器件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;9;/;0;2查看分类表>
申请人	夏泰鑫半导体（青岛）有限公司	申请人地址	山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心219室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏泰鑫半导体（青岛）有限公司	当前权利人	夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
发明人	李相遇;崔基雄;金成基
代理机构	深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司	代理人	彭辉剑;龚慧惠

摘要

一种电容器的制备方法，包括：形成一顶电极；于所述顶电极上沉积一非晶硅锗层；以及通过准分子激光退火工艺对所述非晶硅锗层进行晶化处理以形成一多晶硅锗层，所述多晶硅锗层与所述顶电极电性连接。本发明还提供由上述方法制得的电容器。

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