MgGa2O4紫外探测器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010801451.0
IPC分类号：H01L31/0328;H01L31/108;H01L31/18;H01L21/02
申请日期：
2020-08-11
申请人：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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著录项信息

专利名称	MgGa2O4紫外探测器及其制备方法
申请号	CN202010801451.0	申请日期	2020-08-11
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-23	公开/公告号	CN111816720A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0328 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0256 以材料为特征的〔5〕 H01L31/0264 无机材料〔5〕 H01L31/0328 除掺杂或其他杂质外，包含已列入H01L 31/0272至H01L 31/032组中两组或更多个组的半导体材料〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	申请人地址	吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	当前权利人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人	刘可为;侯其超;申德振;陈星;张振中;李炳辉
代理机构	深圳市科进知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	曹卫良

摘要

本发明提供一种MgGa2O4紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长MgGa2O4薄膜；S2、在MgGa2O4薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，在叉指电极掩膜溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的MgGa2O4紫外探测器。与现有技术相比，本发明使用金属有机化合物化学气相沉积法制备MgGa2O4薄膜，通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的MgGa2O4薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，进而使包含MgGa2O4薄膜的紫外探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。

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