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图像传感器和用于形成图像传感器的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010868366.6
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2020-08-26
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称图像传感器和用于形成图像传感器的方法
申请号CN202010868366.6申请日期2020-08-26
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-03-30公开/公告号CN112582434A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人刘柏均;张永昌;陈逸群
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司代理人章社杲;李伟
摘要
本发明的各个实施例针对一种用于形成图像传感器的方法,其中器件层具有高晶体质量。根据一些实施例,沉积覆盖衬底的硬掩模层。对硬掩模层和衬底执行第一蚀刻以形成腔。执行第二蚀刻以去除来自第一蚀刻的晶体损伤并且使腔中的衬底横向凹进,使得硬掩模层悬于腔上方。形成衬于腔的牺牲层,穿过牺牲层对衬底执行毯式离子注入,并且去除牺牲层。外延生长中间层,中间层衬于腔并且具有位于硬掩模层下面的顶面,并且外延生长器件层,器件层填充中间层上方的腔。在器件层中形成光电探测器。本发明的实施例还涉及图像传感器。

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