一种超材料的制备方法和超材料

发明专利有效专利

申请号：
CN201110260989.6
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/02;H01L29/41;H01L29/92
申请日期：
2011-09-05
申请人：
深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种超材料的制备方法和超材料
申请号	CN201110260989.6	申请日期	2011-09-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-03-20	公开/公告号	CN102983070A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;;;H;0;1;L;2;9;/;9;2查看分类表>
申请人	深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区高新区中区高新中一道9号软件大厦变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳光启高等理工研究院,深圳光启创新技术有限公司	当前权利人	深圳光启高等理工研究院,深圳光启创新技术有限公司
发明人	刘若鹏;赵治亚;缪锡根;杨宗荣
代理机构	深圳中一专利商标事务所	代理人	张全文

摘要

本发明实施例提供了一种超材料制备的方法，该方法包括：在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上淀积第一本征多晶硅层；对所述第一本征多晶硅进行掺杂，获得第一导体层；在所述第一导体层上形成预设的微结构阵列；在具有微结构阵列的第一导体层上淀积第二绝缘层；在第二绝缘层上淀积第二本征多晶硅层；对第二本征多晶硅层进行掺杂，获得第二导体层；在第二导体层上形成所述预设的微结构阵列。本发明实施例还提供了一种采用上述实施例制备的超材料。能够得到微结构可控性能更高、具有双晶硅电容特性的超材料。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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