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一种直角顶角硅阶梯光栅及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610037661.0
  • IPC分类号:G02B5/18
  • 申请日期:
    2016-01-20
  • 申请人:
    上海新微技术研发中心有限公司
著录项信息
专利名称一种直角顶角硅阶梯光栅及其制造方法
申请号CN201610037661.0申请日期2016-01-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-07-28公开/公告号CN106990461A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B5/18IPC分类号G;0;2;B;5;/;1;8查看分类表>
申请人上海新微技术研发中心有限公司申请人地址
安徽省蚌埠市禹会区冠宜大厦2号楼三层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人安徽中科米微电子技术有限公司当前权利人安徽中科米微电子技术有限公司
发明人吴亚明;翟雷应;徐静
代理机构北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘元霞
摘要
本申请提供一种直角顶角硅阶梯光栅及其制造方法,用于在硅基片上制造具有直角顶角的阶梯光栅,该方法包括:在硅基片的表面形成蚀刻掩模,所述蚀刻掩模具有使所述基片的表面露出的开口,所述基片是单晶硅片;对形成有蚀刻掩模的所述基片进行湿法腐蚀,以形成周期性排列的刻槽,其中,每个所述刻槽至少具有相互垂直的两个侧壁,所述侧壁为硅(110)晶面,并且,在相邻的所述刻槽之间形成由相邻的所述侧壁形成的直角顶角;以及在所述刻槽的所述侧壁覆盖光学薄膜层。根据本申请的方法可以获得严格垂直的直角顶角硅阶梯光栅,其闪耀角可根据需求设计,具有工艺简单、光栅刻槽表面质量高、刻槽间距误差小、批量化、低成本的技术优势。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供