TFT阵列基板及量子点发光二极管显示器件

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201220574835.4
IPC分类号：H01L27/12;H01L33/06;G09F9/33
申请日期：
2012-11-02
申请人：
京东方科技集团股份有限公司

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专利名称	TFT阵列基板及量子点发光二极管显示器件
申请号	CN201220574835.4	申请日期	2012-11-02
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;G;0;9;F;9;/;3;3查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司
发明人	姚琪;戴天明;张锋;曹占锋
代理机构	北京同达信恒知识产权代理有限公司	代理人	黄志华

摘要

本实用新型公开了一种TFT阵列基板及量子点发光二极管显示器件，采用半色调掩膜板以及双氧水刻蚀液，可以通过一次构图工艺分别在氧化物半导体层形成氧化物半导体层的图形，以及在源漏极层形成源漏极的图形，这样，就可以在TFT结构中将源漏极直接设置在氧化物半导体层之上，不用在两者之间设置刻蚀阻挡层；并将该TFT结构的顶栅型结构应用于QD-LED显示器件的结构中，能实现结构简单的TFT阵列基板以及QD-LED器件，节省其制作工艺流程，降低了生产成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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