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冗余结构及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911334713.0
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L29/49;H01L29/51
  • 申请日期:
    2019-12-23
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称冗余结构及其形成方法
申请号CN201911334713.0申请日期2019-12-23
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-04-21公开/公告号CN111048412A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;9;;;H;0;1;L;2;9;/;5;1查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区良腾路6号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人李妍;辻直樹;汪韬
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人曹廷廷
摘要
本发明提供一种冗余结构及其形成方法,通过形成覆盖介电常数膜层的多晶硅层。执行刻蚀工艺,选择性刻蚀所述多晶硅层和所述介电常数膜层,并停止在隔离层上,以暴露出所述隔离层的部分。由于所述刻蚀工艺停止在所述隔离层上,能够避免刻蚀有源区的所述多晶硅层,从而避免所述有源区的所述半导体衬底上产生刻蚀残留的多晶硅层。进一步的,由于所述多晶硅层覆盖所述高介电常数膜层,从而避免所述高介电常数膜层暴露,进而避免对所述半导体衬底造成污染。

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