形成离子注入区的方法、MOS晶体管及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810207515.3
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/10
申请日期：
2008-12-22
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	形成离子注入区的方法、MOS晶体管及其制造方法
申请号	CN200810207515.3	申请日期	2008-12-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-23	公开/公告号	CN101752254A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	赵猛
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	李丽

摘要

一种形成离子注入区的方法、MOS晶体管及其制造方法，其中，所述形成离子注入区的方法包括：进行形成阱注入区的离子注入；进行形成第一沟道注入区的离子注入；进行形成第二沟道注入区的离子注入，所述第二沟道注入区位于待形成的源/漏区之间；进行形成阈值电压注入区的离子注入；进行热退火处理。本发明在半导体衬底内在源/漏区之间额外形成有沟道注入区，有效阻隔源/漏区之间的相互渗透，改善半导体器件的短沟道效应，避免源/漏区之间发生外溢(Overrun)、穿通(Punch-through)效应，提升半导体器件的电学性能。同时为超浅结工艺中结电容的降低和工艺窗口的扩大提供了更大的工艺调节空间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供