一种宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201910246107.7
IPC分类号：H01L31/105;H01L31/107;H01L31/0304;H01L31/18
申请日期：
2019-03-29
申请人：
中国科学院上海技术物理研究所

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著录项信息

专利名称	一种宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法
申请号	CN201910246107.7	申请日期	2019-03-29
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-23	公开/公告号	CN110047967A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/105 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/105 为PIN型势垒的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;5;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;7;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	中国科学院上海技术物理研究所	申请人地址	上海市虹口区玉田路500号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海技术物理研究所	当前权利人	中国科学院上海技术物理研究所
发明人	马英杰;顾溢;邵秀梅;李雪
代理机构	上海沪慧律师事务所	代理人	郭英

摘要

本发明公开了一种宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法。采用InP衬底和背照射结构。自衬底起依次包含InP腐蚀牺牲层，InGaAs腐蚀牺牲层，重掺杂InP腐蚀截止层，InGaAs吸收层，能带递变层，电荷层，重掺杂接触层，铟柱及读出电路；还公开了一种制造所述探测器的方法，主要步骤为：1)产生与读出电路互联的雪崩焦平面模块；2)机械研磨抛光InP衬底层；3)化学腐蚀掉InP牺牲层；4)化学腐蚀掉InGaAs牺牲层。本发明的优点在于实现InGaAs雪崩焦平面对400‑1700nm可见及近红外波段的宽光谱响应，控制精度高、损伤低。

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