半导体晶体基片的评价方法

发明专利有效专利

申请号：
CN03110311.1
IPC分类号：--
申请日期：
2003-04-04
申请人：
三菱电机株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体晶体基片的评价方法
申请号	CN03110311.1	申请日期	2003-04-04
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2004-02-11	公开/公告号	CN1474445
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社村田制作所	当前权利人	株式会社村田制作所
发明人	山本佳嗣;铃木敏;服部亮
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	杨凯;叶恺东

摘要

本发明公开了一种半导体晶体基片的评价方法，旨在提供一种可预测半导体晶体基片的电流放大率的初始变化的半导体晶体基片的评价方法。用于异质结双极型晶体管的含有集电极层、基极层与发射极层的半导体晶体基片的评价方法包括：制作含有和基极层相同组成的晶体层的评价用半导体晶体基片的步骤；在所述评价用半导体晶体基片上照射激励光，测量来自所述晶体层的光致发光的光强度在达到饱和之前随时间的变化的步骤；以及根据所述时间变化预测用所述半导体晶体基片制造异质结双极型晶体管时的电流放大率随时间的变化的步骤。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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