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一种射频前端模组基板及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202211126153.1
  • IPC分类号:H04B1/40;H01L23/552
  • 申请日期:
    2022-09-16
  • 申请人:
    深圳新声半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种射频前端模组基板及制备方法
申请号CN202211126153.1申请日期2022-09-16
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2022-10-18公开/公告号CN115208431A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H04B1/40IPC分类号H;0;4;B;1;/;4;0;;;H;0;1;L;2;3;/;5;5;2查看分类表>
申请人深圳新声半导体有限公司申请人地址
广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳新声半导体有限公司当前权利人深圳新声半导体有限公司
发明人不公告发明人
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人林哲生
摘要
本发明提供了一种射频前端模组基板及制备方法,在该射频前端模组基板中,第一基板层与第二基板层之间设置有隔离层,该隔离层可以减少第一基板层与第二基板层之间的互相干扰;并且第一基板层中每一个第一功能区都被对应的第一隔离边框包围,减少了每个第一功能区与外界的互相干扰;第二基板层中每一个第二功能区都被对应的第二隔离边框包围,减少了每个第二功能区与外界的互相干扰;各种干扰减少,进一步的也就提高了射频前端模组中各部分的设计稳定性和各部分的性能;同时,第一隔离边框在隔离层上的正投影与第二隔离边框在隔离层上的正投影重合,提高了基板强度。

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