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氮化硅制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210473382.0
IPC分类号：H01L21/318
申请日期：
2012-11-20
申请人：
中国科学院微电子研究所

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	氮化硅制造方法
申请号	CN201210473382.0	申请日期	2012-11-20
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-04	公开/公告号	CN103839800A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/318 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/31 在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L 21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择〔2，5〕 H01L21/314 无机层（H01L 21/3105，H01L 21/32优先）〔2，5〕 H01L21/318 由氮化物组成的无机层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;1;8查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3# 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	王桂磊;秦长亮;李俊峰;赵超
代理机构	北京蓝智辉煌知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	陈红

摘要

本发明公开了一种氮化硅制造方法，包括：步骤c1，通入氨气和氮气并预稳定；步骤c2，通入硅烷；步骤c3，射频点火；步骤c4，沉积氮化硅；步骤c5，氮气等离子体处理氮化硅。依照本发明的张应力氮化硅制造方法，采用氮气等离子轰击来增强Si-N键合力从而提高薄膜密度，提高了张应力氮化硅的抗酸性，使其能适用于集成在双应变衬层后栅工艺中，有效提高了器件的性能和可靠性。

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