应用于CMOS图像传感器陶瓷PGA可调节封装夹具

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201822137876.7
IPC分类号：H01L27/146;H01L21/687
申请日期：
2018-12-19
申请人：
积高电子（无锡）有限公司

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著录项信息

专利名称	应用于CMOS图像传感器陶瓷PGA可调节封装夹具
申请号	CN201822137876.7	申请日期	2018-12-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/146 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/14 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L 31/14；光导与光电元件的耦合入G02B 6/42）〔2〕 H01L27/144 由辐射控制的器件〔5〕 H01L27/146 图像结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;4;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;7查看分类表>
申请人	积高电子（无锡）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市滨湖区胡埭工业园北区联合路10号（蠡园开发区胡埭工业园A幢三楼）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	积高电子（无锡）有限公司	当前权利人	积高电子（无锡）有限公司
发明人	王国建;吴剑华
代理机构	无锡知之火专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	袁粉兰;陈琦

摘要

本实用新型公开了一种应用于CMOS图像传感器陶瓷PGA可调节封装夹具，涉及夹具的结构设计领域，包括底板、压板、压紧机构；压板可拆卸固定于底板上方；压板上设置有容置CMOS图像传感器芯片垂直引脚的容置空间；底板上设置有若干凹口部；凹口部的底部设置有向上凸起部；凸起部具有弹性；凸起部的顶部高度低于凹口部的口部高度；凸起部上设置有用于调节顶部高度的调节装置。本实用新型提供的应用于CMOS图像传感器陶瓷PGA可调节封装夹具，容置空间可避免压合过程对垂直引脚造成的损坏，提高玻璃盖片的封装效率，增加企业的生产利润；凸起部及调节装置可提高玻璃盖片与CMOS图像传感器芯片的压合质量与效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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