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半导体生产过程中的抽样量测方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310020648.0
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2013-01-21
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称半导体生产过程中的抽样量测方法
申请号CN201310020648.0申请日期2013-01-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-07-23公开/公告号CN103943523A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人张京晶;罗志林;陈昵;赵晨
代理机构北京德琦知识产权代理有限公司代理人牛峥;王丽琴
摘要
本发明公开了一种半导体生产过程中的抽样量测方法,包括:将前序生产工序机台出货的多个批次lot的WIP根据到达量测站点的时间和Wafer数量组成抽样组;在抽样组中选择到达量测站点时间最早的lot进行量测;当所选择lot的量测结果合格时,判定该抽样组合格;当所选择lot的量测结果不合格时,将该抽样组中未被量测的lot和随后到达量测站点的lot根据到达量测站点的时间和Wafer数量组成新的抽样组,并重新在新的抽样组中选择到达量测站点时间最早的lot进行量测,以确定新的抽样组是否合格。本发明可有效的提高半导体生产过程中的量测效率,缩短半导体的生产周期;利用量测结果监控机台的工作状态,可及时发现生产问题,保证生产线的稳定运行,提高产品的生产效率。

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