半导体器件及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011410603.0
IPC分类号：H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238
申请日期：
2020-12-04
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体器件及其形成方法
申请号	CN202011410603.0	申请日期	2020-12-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-30	公开/公告号	CN113192953A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/088 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕 H01L27/085 只包含场效应的组件〔5〕 H01L27/088 有绝缘栅场效应晶体管的组件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;9;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	陈维宁;蔡邦彦;奥野泰利
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;李伟

摘要

本申请的实施例公开了一种用于减少半导体器件的异质外延界面中的应力引起的缺陷的方法。该方法包括：形成具有鳍部基底的鳍部结构、位于鳍部基底上的超晶格结构；形成位于鳍部结构上的多晶硅栅极结构；形成位于鳍部结构的未由多晶硅栅极结构覆盖的部分内的源极/漏极(S/D)开口；修改第一层的第一表面以弯曲第一表面的轮廓；沉积分别位于第一表面、第二表面、和第三表面上的第一钝化层、第二钝化层、和第三钝化层；形成位于源极/漏极开口内的外延源极/漏极区；以及用金属栅极结构替代多晶硅栅极结构。超晶格结构包括分别具有第一晶格常数和第二晶格常数的第一层和第二层，并且第一晶格常数和第二晶格常数彼此不同。本申请的实施例另一方面提供一种半导体器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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