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用于电磁结构表征的装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811413404.8
  • IPC分类号:A61B5/053;A61B5/05;A61B5/103;A61B5/107;A61B5/11;A61B5/0205
  • 申请日期:
    2018-11-23
  • 申请人:
    恩智浦有限公司
著录项信息
专利名称用于电磁结构表征的装置
申请号CN201811413404.8申请日期2018-11-23
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-06-04公开/公告号CN109833042A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号A61B5/053IPC分类号A;6;1;B;5;/;0;5;3;;;A;6;1;B;5;/;0;5;;;A;6;1;B;5;/;1;0;3;;;A;6;1;B;5;/;1;0;7;;;A;6;1;B;5;/;1;1;;;A;6;1;B;5;/;0;2;0;5查看分类表>
申请人恩智浦有限公司申请人地址
荷兰埃因霍温高科技园区60邮编:5656AG 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人恩智浦有限公司当前权利人恩智浦有限公司
发明人安东尼·凯斯拉斯;阿克塞尔·纳克尔特斯
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人倪斌
摘要
一个例子公开了一种用于电磁结构表征的装置,所述装置包含:控制器,所述控制器具有电磁发射器输出端和通信接口;其中所述控制器被配置成通过所述电磁发射器输出端发送信号,所述信号使电磁发射器生成第一电场(E1)和第一磁场(H1);其中所述控制器被配置成通过所述通信接口接收由电磁接收器接收的第二电场(E2)和第二磁场(H2);其中所述第一电场和所述第一磁场对应于所述电磁发射器何时位于接近结构的第一位置,并且所述第二电场与所述第二磁场对应于所述电磁接收器何时位于接近所述结构的第二位置;并且其中所述控制器被配置成基于与所述结构交互的所述电场和所述磁场计算阻抗。

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