STT-MRAM参考单元及其制备方法及包含该参考单元的芯片

发明专利有效专利

申请号：
CN201910552881.0
IPC分类号：H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;G11C11/16
申请日期：
2019-06-24
申请人：
中国科学院微电子研究所

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著录项信息

专利名称	STT-MRAM参考单元及其制备方法及包含该参考单元的芯片
申请号	CN201910552881.0	申请日期	2019-06-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-09-24	公开/公告号	CN110277490A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;4;3;/;0;2;;;H;0;1;L;4;3;/;1;2;;;G;1;1;C;1;1;/;1;6查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	崔岩;罗军;杨美音;许静
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

一种STT‑MRAM参考单元及其制备方法及包含该参考单元的芯片，该参考单元包含两个并联的支路，其中一个支路上包含两个串联的隧道结，这两个串联的隧道结阻态不同，一个隧道结的自由层与另一个隧道结的自由层串联连接。通过自由层与自由层的互联，在初始化时仅通过单向电流即可实现，方便简单；另外，在数据读出时，由于两个串联的隧道结通过自由层相连接，在读出电流与初始化电流的方向相同时，无论如何都不会产生某一个隧道结发生翻转的情形，具有很高的可靠性，避免了现有技术中参考层与自由层连接形式对应的读出时较容易使其中一个隧道结发生翻转的问题，此外，对应的制备工艺相对简单，省去了传统结构中的通孔。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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