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一种复合栅双极型晶体管器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201822128950.9
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/06
  • 申请日期:
    2018-12-18
  • 申请人:
    上海擎茂微电子科技有限公司
著录项信息
专利名称一种复合栅双极型晶体管器件
申请号CN201822128950.9申请日期2018-12-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人上海擎茂微电子科技有限公司申请人地址
上海市闵行区紫星路588号2幢1169室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海擎茂微电子科技有限公司当前权利人上海擎茂微电子科技有限公司
发明人阳平
代理机构上海百一领御专利代理事务所(普通合伙)代理人王奎宇;甘章乖
摘要
本申请公开了一种复合栅双极型晶体管器件,包括半导体衬底、空穴积累层、P型基区、沟槽区、栅氧化层、复合栅电极、虚拟沟槽栅、N+发射极区、P+深阱区、绝缘介质层、发射极电极、N型场终止区、P型集电极区和集电极,空穴积累层、P型基区形成于半导体衬底表面;沟槽区贯穿P型基区和空穴积累层;沟槽区内设栅氧化层;复合栅电极、虚拟沟槽栅形成于沟槽区;N+发射极区、P+深阱区形成P型基区表面并交叠;绝缘介质层形成于沟槽区、N+发射极区和P+深阱区表面;发射极电极与虚拟沟槽栅连接;N型场终止区、P型集电极区、集电极形成于半导体衬底背面。本申请可增大元胞间距,降低器件饱和电流密度并提高器件短路耐受能力。

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