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高穿透率的封装发光二极管

发明专利无效专利

申请号：
CN201210011125.5
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/56;C08L83/04
申请日期：
2012-01-13
申请人：
蔡凯雄;李建立

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高穿透率的封装发光二极管
申请号	CN201210011125.5	申请日期	2012-01-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-17	公开/公告号	CN103208575A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;6;;;C;0;8;L;8;3;/;0;4查看分类表>
申请人	蔡凯雄;李建立	申请人地址	中国台湾新北市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	蔡凯雄,李建立	当前权利人	蔡凯雄,李建立
发明人	蔡凯雄;李建立
代理机构	北京泰吉知识产权代理有限公司	代理人	张雅军;秦小耕

摘要

一种高穿透率的封装发光二极管，包含一个基板、一个发光元件、一个引线单元，及一个耐热层。该发光元件形成在该基板上。该引线单元连接该基板与该发光元件。该耐热层至少形成在该发光元件上且该耐热层的成分包括硅利光树脂及0.1％至10％重量百分比的环氧基硅烷。借此，使该耐热层的粘合效果较佳、穿透率较高，且不会黄变，能提高该高穿透率的封装发光二极管的使用寿命。

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