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一种还原气氛下具有高电阻率、巨介电常数和低损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911113373.9
  • IPC分类号:C04B35/46;C04B35/622;C04B35/63;C04B41/88
  • 申请日期:
    2019-11-14
  • 申请人:
    陕西师范大学
著录项信息
专利名称一种还原气氛下具有高电阻率、巨介电常数和低损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法
申请号CN201911113373.9申请日期2019-11-14
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-02-18公开/公告号CN110803923A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/46IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;6;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;3;;;C;0;4;B;4;1;/;8;8查看分类表>
申请人陕西师范大学申请人地址
陕西省西安市长安南路199号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人陕西师范大学当前权利人陕西师范大学
发明人刘鹏;宋月婵;吴雯雯;雷明亮
代理机构西安永生专利代理有限责任公司代理人高雪霞
摘要
本发明公开了一种还原气氛下具有高电阻率、巨介电常数和低损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法,通过二氧化钛中同时添加三价元素Al和等摩尔质量的五价元素Nb,将预烧粉置于3~12T的磁场下,获得生胚,之后在N2气氛下高温烧结,在陶瓷内部形成“巨缺陷”偶极子,形成较多的局域化电子,获得巨介电陶瓷,且在磁场下会使此类偶极子被磁场定向,限制自由电荷的移动从而提高电阻率和降低介电损耗。本发明制备的陶瓷表现出了优良的温度稳定性和频率稳定性,相对介电常数大于103,介电损耗可达到0.05~0.1,电阻率可达到107~109Ω·cm,属于环境友好型电子材料,在要求小型化、轻量化的多层电子元件电容器中具有实际的应用价值。

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