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一种贴片式红外抗静电发光二极管

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202023334588.4
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/60;D03D15/275;D03D15/283;D03D15/43
申请日期：
2020-12-30
申请人：
深圳市松广发科技有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种贴片式红外抗静电发光二极管
申请号	CN202023334588.4	申请日期	2020-12-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;4;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;0;;;D;0;3;D;1;5;/;2;7;5;;;D;0;3;D;1;5;/;2;8;3;;;D;0;3;D;1;5;/;4;3查看分类表>
申请人	深圳市松广发科技有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区石岩街道黎光社区众兴路8-1号4层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市松广发科技有限公司	当前权利人	深圳市松广发科技有限公司
发明人	吴度松
代理机构	深圳市汇信知识产权代理有限公司	代理人	张志凯

摘要

本实用新型提供一种贴片式红外抗静电发光二极管，包括基板、发光芯片、封装胶体以及石墨烯面料层，基板上端面中间设置有封装胶体，封装胶体内部开设有安装内腔，封装胶体内壁上设置有石墨烯面料层，安装内腔内部安装有发光芯片，发光芯片下侧设置有PCB线路层，与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：结构简单，使用方便，具有远红外、抗紫外、抗静电的功能。

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