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涂敷设备、薄膜形成方法以及半导体器件制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410035379.6
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2004-04-22
  • 申请人:
    精工爱普生株式会社
著录项信息
专利名称涂敷设备、薄膜形成方法以及半导体器件制造方法
申请号CN200410035379.6申请日期2004-04-22
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2004-11-03公开/公告号CN1541781
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人精工爱普生株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人精工爱普生株式会社当前权利人精工爱普生株式会社
发明人汤田坂一夫
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人刘晓峰
摘要
一种在涂敷室中的衬底上涂敷液体原料的涂敷设备。供给液体原料的第一液体供给系统设置在涂敷室。第二液体供给系统设置在第一液体供给系统中,第一液体系统供给液体,所述液体清除残留在涂敷室和/或第一液体供给系统中的液体原料或去除所述液体原料的活性。提供了一种涂敷设备、一种薄膜形成方法、一种电光装置和一种电子仪器,它们能够获得具有极少缺陷和高度再生产性的高性能的薄膜,并允许有效和安全地进行设备的保养,以及能够以低成本制造薄膜。

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