一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410410783.0
IPC分类号：C04B38/06;C04B35/565
申请日期：
2014-08-20
申请人：
武汉工程大学

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著录项信息

专利名称	一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法
申请号	CN201410410783.0	申请日期	2014-08-20
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-12-10	公开/公告号	CN104193395A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B38/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B38/00 多孔的砂浆、混凝土、人造石或陶瓷制品；其制造方法（用气体或气体发生材料处理矿渣入C04B 5/06）〔4，6〕 C04B38/06 烧除加入的物质〔4〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;8;/;0;6;;;C;0;4;B;3;5;/;5;6;5查看分类表>
申请人	武汉工程大学	申请人地址	湖北省鄂州市鄂州经济开发区管委会变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖北迪洁膜科技有限责任公司	当前权利人	湖北迪洁膜科技有限责任公司
发明人	徐慢;曹宏;石和彬;陈常连;沈凡;季家友;王树林;薛俊;安子博;赵静;王亮;祝云
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	崔友明

摘要

本发明属于材料科学与工程领域，具体涉及一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，包括有以下步骤：1)多孔碳化硅素胚的比例设计；2)多孔碳化硅陶瓷的素胚成型；3)多孔碳化硅陶瓷的烧制，得到所需要的多孔碳化硅陶瓷。本发明的有益效果在于：通过组成比例设计，即控制膨胀石墨、金属硅粉、有机粘接剂的比例，使反应产物主要为碳化硅；此外，控制三者混合后的密度，可实现多孔碳化硅陶瓷孔隙率的准确控制，可制备出孔隙在40％-80％之间可控的多孔碳化硅陶瓷制品，具有孔隙率可控，孔隙均匀的特点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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