数字合金、数字合金中波红外探测器

发明专利有效专利

申请号：
CN202011597283.4
IPC分类号：H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/109;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2020-12-29
申请人：
苏州焜原光电有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	数字合金、数字合金中波红外探测器
申请号	CN202011597283.4	申请日期	2020-12-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-27	公开/公告号	CN112713209A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0352 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0352 以其形状或以多个半导体区域的形状、相关尺寸或配置为特征的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;9;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	苏州焜原光电有限公司	申请人地址	江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州焜原光电有限公司	当前权利人	苏州焜原光电有限公司
发明人	陈意桥;张国祯;陈超;周浩
代理机构	北京中济纬天专利代理有限公司	代理人	于宏伟

摘要

本发明是针对现有势垒型器件在吸收层和势垒层存在一个较高的价带带阶，使得空穴在运动过程中受到价带势垒的阻碍，使量子效率降低的不足，提供一种数字合金AlAsSb材料及数字合金中波红外探测器，此数字合金在一层厚度为d1的AlSb材料上，生长一层厚度为d2的AlAsxSb1‑x材料，形成厚度为d1+d2的AlAsySb1‑y基本单元，d1+d2作为一个周期，重复生长n个周期，形成数字合金DA‑AlAsySb1‑y，其中，y为数字合金中整体平均As组分，x为基本单元的一层中的As的组分，采用本发明提供的数字合金、数字合金中波红外探测器使空穴移动更加通畅，可以有效提高探测器的量子效率，并且对器件的暗电流没有影响，使其更容易适应于不同的吸收层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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