加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

薄膜晶体管及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110396517.3
  • IPC分类号:H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/32
  • 申请日期:
    2011-11-29
  • 申请人:
    友达光电股份有限公司
著录项信息
专利名称薄膜晶体管及其制造方法
申请号CN201110396517.3申请日期2011-11-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-05-02公开/公告号CN102437195A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2查看分类表>
申请人友达光电股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人友达光电股份有限公司当前权利人友达光电股份有限公司
发明人苏家怡
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人张浴月;张志杰
摘要
薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法。该制造方法包括:于一基板上形成一栅极。于基板上形成一栅极绝缘层,以覆盖栅极。于栅极绝缘层上形成一半导体材料层。形成一蚀刻终止材料层于栅极上方的半导体材料层上,其中蚀刻终止材料层具有一第一区块与位于第一区块两侧的一第二区块,第一区块的厚度大于第二区块的厚度,且蚀刻终止材料层包括一有机无机混合材料。以蚀刻终止材料层为掩模,移除部分半导体材料层,以形成一沟道层。移除蚀刻终止材料层的第二区块,以形成一蚀刻终止层,蚀刻终止层覆盖部分沟道层。于覆盖有蚀刻终止层的沟道层上形成一源极与一漏极。本发明可以降低制作成本与时间以及提升元件特性。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供