首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途

发明专利无效专利

申请号：
CN200610091468.1
IPC分类号：C30B29/32;C30B15/00;H01S3/16
申请日期：
2006-06-13
申请人：
中国科学院福建物质结构研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途
申请号	CN200610091468.1	申请日期	2006-06-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-12-19	公开/公告号	CN101089242
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/32 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕 C30B29/22 复合氧化物〔3〕 C30B29/32 钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;2;;;C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;H;0;1;S;3;/;1;6查看分类表>
申请人	中国科学院福建物质结构研究所	申请人地址	福建省福州市杨桥西路155号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院福建物质结构研究所	当前权利人	中国科学院福建物质结构研究所
发明人	王国富;赵丹;林州斌;张莉珍
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途，涉及人工晶体领域。采用提拉法(Czochralski方法)生长，生长条件为：生长温度1410℃，晶体转速15～20转/分钟，拉速1.5～3毫米/小时。该晶体属于立方晶系，空间群为Fm3m，单胞参数为Z＝4，单胞体积为该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1.06μm左右波长的激光输出，并有望获得实际应用。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供